知识产权布局和保护对于企业的重要性

6月 2022

[发明专利] 一种细胞核荧光染料及其染色方法 – CN114057604A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种细胞核荧光染料及其染色方法 - CN114057604A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010767928.8 申请日 20200803 公开(公告)号 CN114057604A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 深圳先进技术研究院 申请人地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学院大道1068号 发明人 龚萍;周理华;张鹏飞;蔡林涛 专利类型 发明专利 摘要 本发明提供了一种细胞核荧光染料及其染色方法和应用,提出了一种新的用于细胞核染色的荧光染料。本发明所涉及的细胞核荧光染料有具有良好的膜通透性,高灵敏度,快速的染核效率,良好的光稳定性,良好的生物相容性,波长更长的激发光和发射光,可以应用于细胞核的荧光染色。 主权项 1.一种细胞核荧光染料,其特征在于,具有如下结构通式:其中,R1为C0-C30的直链或支链的亚烷基,R2为C0-C30的直链或支链的取代亚烷基,R3为C5-C30的芳香基或取代芳香基,R4为C5-C30的亚烷基芳香基、取代亚烷基芳香基、亚芳香基烷基、取代亚芳香基烷基中的任一种;R5为不饱和烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、羧基、氨基、磺酸基。     IPC信息 IPC主分类号 C07C251/20 C 化学;冶金 C07 有机化学 C07C 无环或碳环化合物 C07C251/20 亚胺基的碳原子是除六元芳环以外的其他环的一部分〔5〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010767928 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 半导体存储器、其制作方法及电子设备 – CN114068537A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 半导体存储器、其制作方法及电子设备 - CN114068537A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010761200.4 申请日 20200731 公开(公告)号 CN114068537A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 发明人 全宗植;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘 专利类型 发明专利 摘要 本公开提供一种半导体存储器、其制作方法及一种电子设备。本公开的半导体存储器包括:位线层,具有至少一条位线;有源层,位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区;栅堆叠,所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围;以及,存储层,位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。该半导体存储器通过垂直地将位线所在层和存储区分离到有源区的上/下,使上/下分离的两个层和连接中间有源区的接触不在同一平面上,确保了平面上的工艺裕度,从而可以改善半导体存储器设计层面的限制,提升半导体存储器的性能。 主权项 1.一种半导体存储器,其特征在于,包括:位线层,具有至少一条位线;有源层,位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区;栅堆叠,所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围;以及,存储层,位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。     IPC信息 IPC主分类号 H01L27/108 H 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010761200 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料及其制备方法 – CN114057203A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料及其制备方法 - CN114057203A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111062193.X 申请日 20210910 公开(公告)号 CN114057203A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 申请人地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 发明人 王京阳;孙鲁超;彭银;杜铁锋;张洁;王浩宇;罗志新 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及环境障涂层或热障/环境障一体化涂层领域,具体为一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料及其制备方法。本发明针对热稳定性高、热膨胀匹配好和耐腐蚀性能优的六稀土主元双硅酸盐,通过关键工艺参数调控,制备得到适用于等离子喷涂的球形喂料。具体工序为:以六稀土主元双硅酸盐固溶体粉末为原料,依次经机械混合、喷雾干燥和高温烧结,制备得到表面光洁致密、粒径分布可控的六稀土主元双硅酸盐球形粉体。该粉体球形度高、流动性好、松装密度高、具有优异的高温稳定性及化学稳定性,是具有极大应用潜力的等离子喷涂环境障涂层或热障/环境障一体化涂层喂料。 主权项 1.一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料,其特征在于,六稀土主元双硅酸盐球形喂料化学式为(RE1 n1/n…RE 1/n)2Si2O7,其中n=6,REn分别为稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种。     IPC信息 IPC主分类号 C01B33/20 C 化学;冶金 C01 无机化学 C01B 非金属元素;其化合物 C01B33/20 硅酸盐(过硅酸盐入C01B15/14)     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111062193 20220218 公开 公开   [...]

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[发明专利] 一种呋喃基纳米复合共聚酯材料及其制备方法、应用 – CN114057999A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种呋喃基纳米复合共聚酯材料及其制备方法、应用 - CN114057999A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010790347.6 申请日 20200807 公开(公告)号 CN114057999A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 申请人地址 116023 辽宁省大连市中山路457号 发明人 周光远;李璐;姜敏;王瑞 专利类型 发明专利 摘要 本申请公开了一种呋喃基纳米复合共聚酯材料,包括共聚酯基体和二维纳米材料;所述共聚酯基体主要由2,5‑呋喃二甲酸、二元醇共聚而成;所述二元醇选自乙二醇、1,4‑丁二醇、1,6‑己二醇中的至少一种;所述二维纳米材料分散在共聚酯基体中。并提供了该呋喃基纳米复合共聚酯材料的制备方法。该呋喃基纳米复合共聚酯材料生物基含量为100%,利用共聚与纳米复合的协同作用,调控聚酯分子链结构与二维纳米材料杂化,具有结晶速率好、断裂伸长率高、阻隔性能佳的优良特点,在瓶材、包装、高性能纤维、工程塑料等领域中具有广阔的应用前景。 主权项 1.一种呋喃基纳米复合共聚酯材料,其特征在于,包括共聚酯基体和二维纳米材料;所述共聚酯基体主要由2,5-呋喃二甲酸、二元醇共聚而成;所述二元醇选自乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇中的至少一种;所述二维纳米材料分散在共聚酯基体中。     IPC信息 IPC主分类号 C08G63/672 C 化学;冶金 C08 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物 C08G 用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物 C08G63/672 二元羧酸和二羟基化合物〔5〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010790347 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种基于静止轨道卫星全球积雪判别方法和装置 – CN114067218A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种基于静止轨道卫星全球积雪判别方法和装置 - CN114067218A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111154407.6 申请日 20210929 公开(公告)号 CN114067218A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院空天信息创新研究院 申请人地址 100101 北京市朝阳区大屯路甲20号中国科学院遥感与数字地球研究所A座203室 发明人 张平;乔海伟;李震 专利类型 发明专利 摘要 本申请公开了一种基于静止轨道卫星全球积雪判别方法,包含以下步骤:进行数据预处理,包括将静止轨道卫星数据按照相同标准进行重投影和重采样,计算各波段反射率和亮度温度;对多时相数据进行最大亮温融合,合成后影像的像元值对应的10μm波段亮度温度是当天多个时相中非夜晚时相10μm波段亮度温度的最大值;选择积雪判别因子,在所述像元值基础上确定各判别因子的判别阈值;根据选定的积雪判别因子和各判别因子对应的阈值,对静止轨道卫星的像元值进行处理,提取积雪范围。本申请还包含实现所述方法的装置。本发明解决了现有技术识别精度低的问题。 主权项 1.一种基于静止轨道卫星全球积雪判别方法,其特征在于,包含以下步骤:进行数据预处理,包括将静止轨道卫星数据按照相同标准进行重投影和重采样,计算各波段反射率和亮度温度;对多时相数据进行最大亮温融合,合成后影像的像元值对应的10μm波段亮度温度是当天多个时相中10μm波段亮度温度非夜晚时相的最大值;选择积雪判别因子,在所述像元值基础上确定各判别因子的判别阈值;根据选定的积雪判别因子和各判别因子对应的阈值,对静止轨道卫星的像元值进行处理,提取积雪范围。     IPC信息 IPC主分类号 G06V20/13 G 物理 G06 计算;推算;计数     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111154407 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人姓名 [...]

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[发明专利] 一种埋栅晶体管及其制造方法 – CN114068702A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种埋栅晶体管及其制造方法 - CN114068702A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010753985.0 申请日 20200730 公开(公告)号 CN114068702A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 发明人 郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏 专利类型 发明专利 摘要 本发明公开一种埋栅晶体管及其制造方法,涉及半导体制造技术领域,以改善短沟道效应,提高半导体存储器件的性能。该埋栅晶体管应用于半导体存储器件。埋栅晶体管包括衬底、栅沟槽、栅介质层和栅导体层。栅沟槽设在衬底上,栅沟槽包括上部和下部,栅沟槽的上部和下部相接处形成颈部;栅介质层位于栅沟槽的内壁上;栅导体层位于栅沟槽的下部,并且位于栅介质层的内壁上。本发明提供的埋栅晶体管及其制造方法用于半导体存储器件制作。 主权项 1.一种埋栅晶体管,其特征在于,应用于半导体存储器件,所述埋栅晶体管包括衬底、栅沟槽、栅介质层和栅导体层;所述栅沟槽设在所述衬底上,所述栅沟槽包括上部和下部,所述栅沟槽的上部和下部相接处形成颈部;所述栅介质层位于所述栅沟槽的内壁上;所述栅导体层位于所述栅沟槽的下部,并且位于所述栅介质层的内壁上。     IPC信息 IPC主分类号 H01L29/78 H 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010753985 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种基于聚丙烯重离子径迹膜的锂离子电池隔膜及其制备方法 – CN114069152A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种基于聚丙烯重离子径迹膜的锂离子电池隔膜及其制备方法 - CN114069152A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111353940.5 申请日 20211112 公开(公告)号 CN114069152A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院近代物理研究所 申请人地址 730013 甘肃省兰州市城关区南昌路509号 发明人 张琦忠;姚会军;陈林景;曹殿亮;刘建德;刘杰;段敬来;胡正国 专利类型 发明专利 摘要 本发明公开了一种基于聚丙烯重离子径迹膜的锂离子电池隔膜及其制备方法。所述聚丙烯重离子径迹膜上的孔道为定向排列的直通孔道,孔道的孔径为50~150nm。本发明聚丙烯重离子径迹膜的制备方法包括如下步骤:S1、采用重离子垂直辐照聚丙烯薄膜,得到辐照后的聚丙烯重离子径迹膜;S2、将辐照后的聚丙烯重离子径迹膜进行化学刻蚀即得;化学刻蚀采用的刻蚀液中添加表面活性剂。本发明实现了对PP重离子径迹膜的化学蚀刻,蚀刻后的薄膜具有直通的孔道,不存在盲孔,不存在曲折孔,从而保证该膜具有较低的内阻,从而拥有较高的离子电导率;另外经过化学蚀刻后的PP薄膜拥有较好的亲液性,能够促进锂离子在孔道里的快速输运,从而增强锂离子电池的电化学性能。 主权项 1.一种聚丙烯重离子径迹膜,其特征在于:所述聚丙烯重离子径迹膜上的孔道为定向排列的直通孔道;所述孔道的孔径为50~150nm。     IPC信息 IPC主分类号 H01M50/40 H 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置,例如电池组     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111353940 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 北京纪凯知识产权代理有限公司 [...]

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[发明专利] 绳索驱动蛇形机械臂控制方法、装置和设备 – CN114055448A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 绳索驱动蛇形机械臂控制方法、装置和设备 - CN114055448A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111371378.9 申请日 20211118 公开(公告)号 CN114055448A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院自动化研究所 申请人地址 100190 北京市海淀区中关村东路95号 发明人 李恩;章澳顺;罗明睿;杨国栋;梁自泽;谭民;景奉水;田雨农 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及机器人控制相关技术领域,尤其涉及一种绳索驱动蛇形机械臂控制方法、装置和设备。绳索驱动蛇形机械臂控制方法,包括:获取运动指令和各关节的当前角度信息;基于所述运动指令和所述当前角度信息,确定各绳索的目标绳长变化量;基于需要增加长度的绳索的优先级最高,需要减少长度的绳索的优先级随着绳索穿过的关节的数量的增加而降低的原则,确定所述绳索的优先级;基于所述绳长变化量,依照优先级高的绳索在先的顺序,对绳索进行长度调节。如此设置,首先将绳索放松,之后依照优先级的顺序,优先调节距离机械臂根部近的关节,以现有技术中的方案相比,避免了同时调节绳索时绳索耦合的问题,可以正确完成绳索的控制工作。 主权项 1.一种绳索驱动蛇形机械臂控制方法,其特征在于,包括:获取运动指令和各关节的当前角度信息;基于所述运动指令和所述当前角度信息,确定各绳索的目标绳长变化量;基于需要增加长度的绳索的优先级最高,需要减少长度的绳索的优先级随着绳索穿过的关节的数量的增加而降低的原则,确定所述绳索的优先级;基于所述绳长变化量,依照优先级高的绳索在先的顺序,对绳索进行长度调节。     IPC信息 IPC主分类号 B25J9/06 B 作业;运输 B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手 B25J 机械手;装有操纵装置的容器 B25J9/06 以多铰接爪臂为特征的〔4〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111371378 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统 – CN114065692A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统 - CN114065692A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111322447.7 申请日 20211109 公开(公告)号 CN114065692A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院近代物理研究所 申请人地址 730013 甘肃省兰州市城关区南昌路509号 发明人 郭金龙;杜广华;毛光博 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统,其特征在于,包括:获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据;根据获取的单粒子效应多位翻转数据,判定子字节的结构;根据子字节的结构,判定待解析存储器芯片的交错类型,本发明能够以较小的代价获得高可信度的存储器交错类型,可以广泛应用于集成电路领域中。 主权项 1.一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法,其特征在于,包括:获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据;根据获取的单粒子效应多位翻转数据,判定子字节的结构;根据子字节的结构,判定待解析存储器芯片的交错类型。     IPC信息 IPC主分类号 G06F30/392 G 物理 G06 计算;推算;计数 G06F 电数字数据处理     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111322447 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 北京纪凯知识产权代理有限公司 [...]

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[发明专利] 一种改性电极及其制备方法和应用 – CN114068197A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种改性电极及其制备方法和应用 - CN114068197A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010783430.0 申请日 20200806 公开(公告)号 CN114068197A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 申请人地址 200050 上海市长宁区定西路1295号 发明人 黄富强;董武杰;林天全 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及一种改性电极及其制备方法和应用,所述改性电极包括:负载有碳基活性物质的集流体作为电极,以及包覆在所述电极表面的聚合物薄膜;所述聚合物薄膜是由小分子有机物单体通过电化学法原位聚合而成;所述小分子有机物单体至少包含一个碳碳双键和一个含有杂原子的基团,其中含有杂原子的基团选自羧基、羟基、羰基、醛基、磺酸基、磷酸基、硝基、氨基、巯基、酰胺基、酯基、卤代基团和氰胺基中的至少一种。 主权项 1.一种改性电极,其特征在于,包括:负载有碳基活性物质的集流体作为电极,以及包覆在所述电极表面的聚合物薄膜;所述聚合物薄膜是由小分子有机物单体通过电化学法原位聚合而成;所述小分子有机物单体至少包含一个碳碳双键和一个含有杂原子的基团,其中含有杂原子的基团选自羧基、羟基、羰基、醛基、磺酸基、磷酸基、硝基、氨基、巯基、酰胺基、酯基、卤代基团和氰胺基中的至少一种,优选选自选自含有碳碳双键的小分子有机物单体、含有碳碳双键的小分子有机物单体的碱金属盐和含有碳碳双键的小分子有机物单体的碱土金属盐中的至少一种。     IPC信息 IPC主分类号 H01G11/32 H 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010783430 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) [...]

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