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6月 2022

[实用新型] 一种用于胸腰椎椎间孔镜手术的切口保护贴膜 – CN215838975U

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|实用新型数据|

[实用新型] 一种用于胸腰椎椎间孔镜手术的切口保护贴膜 - CN215838975U 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202022843806.0 申请日 20201202 公开(公告)号 CN215838975U 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院大学宁波华美医院 申请人地址 315010 浙江省宁波市海曙区西北街41号 发明人 刘江涛;郑泽平;蒋鲁勇;庞清江 专利类型 实用新型 摘要 本实用新型公开了一种用于胸腰椎椎间孔镜手术的切口保护贴膜,包括用于收集液体的储液瓶,所述储液瓶的中部设有分隔板,所述分隔板上的设有堵塞,所述堵塞上连接有排液管,所述排液管的一端连接有锥形集液袋,所述集液袋上设有U型槽式无菌贴膜。本实用新型通过储液瓶的设置,能够对患者手术时的灌注液、血液进行收集,防止污染,分隔板位于储液瓶的中上部,方便排液管安装,堵塞固连在分隔板上,方便排液管的安装,锥形集液袋为扩口设置,能够方便液体的收集,U型槽式无菌贴膜能够贴在要手术的区域,方便对液体的收集,排液管、锥形集液袋、U型槽式无菌贴膜为一整体,省去了临时,方便后期生产和临床使用。 主权项 1.一种用于胸腰椎椎间孔镜手术的切口保护贴膜,包括用于收集液体的储液瓶(1),其特征在于:所述储液瓶(1)的中部设有分隔板(2),所述分隔板(2)上设有堵塞(3),所述堵塞(3)上连接有排液管(4),所述排液管(4)的一端连接有锥形集液袋(5),所述集液袋上设有U型槽式无菌贴膜(6);所述排液管(4)、锥形集液袋(5)、U型槽式无菌贴膜(6)为一整体。     IPC信息 IPC主分类号 A61B1/317 A 人类生活需要 A61 医学或兽医学;卫生学 A61B 诊断;外科;鉴定 A61B1/317 用于骨或关节的,例如X线骨测器、关节镜〔6〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 授权 法律状态信息 CN202022843806 20220218 授权 授权     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料及其制备方法 – CN114057203A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料及其制备方法 - CN114057203A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111062193.X 申请日 20210910 公开(公告)号 CN114057203A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 申请人地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 发明人 王京阳;孙鲁超;彭银;杜铁锋;张洁;王浩宇;罗志新 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及环境障涂层或热障/环境障一体化涂层领域,具体为一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料及其制备方法。本发明针对热稳定性高、热膨胀匹配好和耐腐蚀性能优的六稀土主元双硅酸盐,通过关键工艺参数调控,制备得到适用于等离子喷涂的球形喂料。具体工序为:以六稀土主元双硅酸盐固溶体粉末为原料,依次经机械混合、喷雾干燥和高温烧结,制备得到表面光洁致密、粒径分布可控的六稀土主元双硅酸盐球形粉体。该粉体球形度高、流动性好、松装密度高、具有优异的高温稳定性及化学稳定性,是具有极大应用潜力的等离子喷涂环境障涂层或热障/环境障一体化涂层喂料。 主权项 1.一种等离子喷涂用六稀土主元双硅酸盐固溶体球形喂料,其特征在于,六稀土主元双硅酸盐球形喂料化学式为(RE1 n1/n…RE 1/n)2Si2O7,其中n=6,REn分别为稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种。     IPC信息 IPC主分类号 C01B33/20 C 化学;冶金 C01 无机化学 C01B 非金属元素;其化合物 C01B33/20 硅酸盐(过硅酸盐入C01B15/14)     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111062193 20220218 公开 公开   [...]

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[发明专利] 半导体存储器、其制作方法及电子设备 – CN114068537A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 半导体存储器、其制作方法及电子设备 - CN114068537A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010761200.4 申请日 20200731 公开(公告)号 CN114068537A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 发明人 全宗植;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘 专利类型 发明专利 摘要 本公开提供一种半导体存储器、其制作方法及一种电子设备。本公开的半导体存储器包括:位线层,具有至少一条位线;有源层,位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区;栅堆叠,所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围;以及,存储层,位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。该半导体存储器通过垂直地将位线所在层和存储区分离到有源区的上/下,使上/下分离的两个层和连接中间有源区的接触不在同一平面上,确保了平面上的工艺裕度,从而可以改善半导体存储器设计层面的限制,提升半导体存储器的性能。 主权项 1.一种半导体存储器,其特征在于,包括:位线层,具有至少一条位线;有源层,位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区;栅堆叠,所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围;以及,存储层,位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。     IPC信息 IPC主分类号 H01L27/108 H 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010761200 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种细胞核荧光染料及其染色方法 – CN114057604A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种细胞核荧光染料及其染色方法 - CN114057604A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010767928.8 申请日 20200803 公开(公告)号 CN114057604A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 深圳先进技术研究院 申请人地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学院大道1068号 发明人 龚萍;周理华;张鹏飞;蔡林涛 专利类型 发明专利 摘要 本发明提供了一种细胞核荧光染料及其染色方法和应用,提出了一种新的用于细胞核染色的荧光染料。本发明所涉及的细胞核荧光染料有具有良好的膜通透性,高灵敏度,快速的染核效率,良好的光稳定性,良好的生物相容性,波长更长的激发光和发射光,可以应用于细胞核的荧光染色。 主权项 1.一种细胞核荧光染料,其特征在于,具有如下结构通式:其中,R1为C0-C30的直链或支链的亚烷基,R2为C0-C30的直链或支链的取代亚烷基,R3为C5-C30的芳香基或取代芳香基,R4为C5-C30的亚烷基芳香基、取代亚烷基芳香基、亚芳香基烷基、取代亚芳香基烷基中的任一种;R5为不饱和烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、羧基、氨基、磺酸基。     IPC信息 IPC主分类号 C07C251/20 C 化学;冶金 C07 有机化学 C07C 无环或碳环化合物 C07C251/20 亚胺基的碳原子是除六元芳环以外的其他环的一部分〔5〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010767928 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种改性电极及其制备方法和应用 – CN114068197A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种改性电极及其制备方法和应用 - CN114068197A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010783430.0 申请日 20200806 公开(公告)号 CN114068197A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 申请人地址 200050 上海市长宁区定西路1295号 发明人 黄富强;董武杰;林天全 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及一种改性电极及其制备方法和应用,所述改性电极包括:负载有碳基活性物质的集流体作为电极,以及包覆在所述电极表面的聚合物薄膜;所述聚合物薄膜是由小分子有机物单体通过电化学法原位聚合而成;所述小分子有机物单体至少包含一个碳碳双键和一个含有杂原子的基团,其中含有杂原子的基团选自羧基、羟基、羰基、醛基、磺酸基、磷酸基、硝基、氨基、巯基、酰胺基、酯基、卤代基团和氰胺基中的至少一种。 主权项 1.一种改性电极,其特征在于,包括:负载有碳基活性物质的集流体作为电极,以及包覆在所述电极表面的聚合物薄膜;所述聚合物薄膜是由小分子有机物单体通过电化学法原位聚合而成;所述小分子有机物单体至少包含一个碳碳双键和一个含有杂原子的基团,其中含有杂原子的基团选自羧基、羟基、羰基、醛基、磺酸基、磷酸基、硝基、氨基、巯基、酰胺基、酯基、卤代基团和氰胺基中的至少一种,优选选自选自含有碳碳双键的小分子有机物单体、含有碳碳双键的小分子有机物单体的碱金属盐和含有碳碳双键的小分子有机物单体的碱土金属盐中的至少一种。     IPC信息 IPC主分类号 H01G11/32 H 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010783430 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) [...]

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[发明专利] 一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统 – CN114065692A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统 - CN114065692A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111322447.7 申请日 20211109 公开(公告)号 CN114065692A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院近代物理研究所 申请人地址 730013 甘肃省兰州市城关区南昌路509号 发明人 郭金龙;杜广华;毛光博 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统,其特征在于,包括:获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据;根据获取的单粒子效应多位翻转数据,判定子字节的结构;根据子字节的结构,判定待解析存储器芯片的交错类型,本发明能够以较小的代价获得高可信度的存储器交错类型,可以广泛应用于集成电路领域中。 主权项 1.一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法,其特征在于,包括:获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据;根据获取的单粒子效应多位翻转数据,判定子字节的结构;根据子字节的结构,判定待解析存储器芯片的交错类型。     IPC信息 IPC主分类号 G06F30/392 G 物理 G06 计算;推算;计数 G06F 电数字数据处理     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111322447 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 北京纪凯知识产权代理有限公司 [...]

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[发明专利] 绳索驱动蛇形机械臂控制方法、装置和设备 – CN114055448A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 绳索驱动蛇形机械臂控制方法、装置和设备 - CN114055448A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111371378.9 申请日 20211118 公开(公告)号 CN114055448A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院自动化研究所 申请人地址 100190 北京市海淀区中关村东路95号 发明人 李恩;章澳顺;罗明睿;杨国栋;梁自泽;谭民;景奉水;田雨农 专利类型 发明专利 摘要 本发明涉及机器人控制相关技术领域,尤其涉及一种绳索驱动蛇形机械臂控制方法、装置和设备。绳索驱动蛇形机械臂控制方法,包括:获取运动指令和各关节的当前角度信息;基于所述运动指令和所述当前角度信息,确定各绳索的目标绳长变化量;基于需要增加长度的绳索的优先级最高,需要减少长度的绳索的优先级随着绳索穿过的关节的数量的增加而降低的原则,确定所述绳索的优先级;基于所述绳长变化量,依照优先级高的绳索在先的顺序,对绳索进行长度调节。如此设置,首先将绳索放松,之后依照优先级的顺序,优先调节距离机械臂根部近的关节,以现有技术中的方案相比,避免了同时调节绳索时绳索耦合的问题,可以正确完成绳索的控制工作。 主权项 1.一种绳索驱动蛇形机械臂控制方法,其特征在于,包括:获取运动指令和各关节的当前角度信息;基于所述运动指令和所述当前角度信息,确定各绳索的目标绳长变化量;基于需要增加长度的绳索的优先级最高,需要减少长度的绳索的优先级随着绳索穿过的关节的数量的增加而降低的原则,确定所述绳索的优先级;基于所述绳长变化量,依照优先级高的绳索在先的顺序,对绳索进行长度调节。     IPC信息 IPC主分类号 B25J9/06 B 作业;运输 B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手 B25J 机械手;装有操纵装置的容器 B25J9/06 以多铰接爪臂为特征的〔4〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111371378 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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[实用新型] 一种红外探测器组件信号传输装置 – CN215865503U

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|实用新型数据|

[实用新型] 一种红外探测器组件信号传输装置 - CN215865503U 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202120745492.2 申请日 20210413 公开(公告)号 CN215865503U 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 申请人地址 200083 上海市虹口区玉田路500号 发明人 周双喜;孙胜利;林长青;胡亭亮;王敏华;李璐芳;喻琪超 专利类型 实用新型 摘要 本实用新型属于红外相机数据采集和成像探测技术领域,公开了一种红外探测器组件信号传输装置,包括:用于对信号传输模块在探测器组件端的电磁屏蔽和机械固定的第一接口保护模块;用以实现探测器组件和信息获取电路的电气连接,一端连接探测器组件电信号接口,另外一端连接至信息获取电路模块的信号传输模块;用于对信号传输模块在信息获取电路端的电磁屏蔽和机械固定的第二接口保护接口模块;用以提供探测器组件需要的供电、偏置电压、驱动信号,并用于对探测器输出的模拟信号进行滤波、隔离、阻抗匹配和模拟数字转换处理的信息获取电路模块。本实用新型集成度高,安装、测试和维护方便,信号完整性好,实现了信号的低噪声传输。 主权项 1.一种红外探测器组件信号传输装置,其特征在于,所述红外探测器组件信号传输装置设置有:与信号传输模块通过线路连接,用于对信号传输模块在探测器组件端的电磁屏蔽和机械固定的第一接口保护模块;与第二接口保护模块通过线路连接,用以实现探测器组件和信息获取电路的电气连接,一端连接探测器组件电信号接口,另外一端连接至信息获取电路模块的信号传输模块;与信息获取电路模块通过线路连接,用于对信号传输模块在信息获取电路端的电磁屏蔽和机械固定的第二接口保护接口模块;用以提供探测器组件需要的供电、偏置电压、驱动信号,并用于对探测器输出的模拟信号进行滤波、隔离、阻抗匹配和模拟数字转换处理的信息获取电路模块。     IPC信息 IPC主分类号 G01J5/10 G 物理 G01 测量;测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 授权 法律状态信息 CN202120745492 20220218 授权 授权     代理信息 [...]

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[发明专利] 一种基于聚丙烯重离子径迹膜的锂离子电池隔膜及其制备方法 – CN114069152A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种基于聚丙烯重离子径迹膜的锂离子电池隔膜及其制备方法 - CN114069152A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202111353940.5 申请日 20211112 公开(公告)号 CN114069152A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院近代物理研究所 申请人地址 730013 甘肃省兰州市城关区南昌路509号 发明人 张琦忠;姚会军;陈林景;曹殿亮;刘建德;刘杰;段敬来;胡正国 专利类型 发明专利 摘要 本发明公开了一种基于聚丙烯重离子径迹膜的锂离子电池隔膜及其制备方法。所述聚丙烯重离子径迹膜上的孔道为定向排列的直通孔道,孔道的孔径为50~150nm。本发明聚丙烯重离子径迹膜的制备方法包括如下步骤:S1、采用重离子垂直辐照聚丙烯薄膜,得到辐照后的聚丙烯重离子径迹膜;S2、将辐照后的聚丙烯重离子径迹膜进行化学刻蚀即得;化学刻蚀采用的刻蚀液中添加表面活性剂。本发明实现了对PP重离子径迹膜的化学蚀刻,蚀刻后的薄膜具有直通的孔道,不存在盲孔,不存在曲折孔,从而保证该膜具有较低的内阻,从而拥有较高的离子电导率;另外经过化学蚀刻后的PP薄膜拥有较好的亲液性,能够促进锂离子在孔道里的快速输运,从而增强锂离子电池的电化学性能。 主权项 1.一种聚丙烯重离子径迹膜,其特征在于:所述聚丙烯重离子径迹膜上的孔道为定向排列的直通孔道;所述孔道的孔径为50~150nm。     IPC信息 IPC主分类号 H01M50/40 H 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置,例如电池组     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202111353940 20220218 公开 公开     代理信息 代理机构名称 北京纪凯知识产权代理有限公司 [...]

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[发明专利] 一种埋栅晶体管及其制造方法 – CN114068702A

|2022-06-21T23:45:14+08:006月 21st, 2022|发明专利数据|

[发明专利] 一种埋栅晶体管及其制造方法 - CN114068702A 全文链接一   全文链接二   基本信息 申请号 CN202010753985.0 申请日 20200730 公开(公告)号 CN114068702A 公开(公告)日 20220218 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 申请人地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 发明人 郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏 专利类型 发明专利 摘要 本发明公开一种埋栅晶体管及其制造方法,涉及半导体制造技术领域,以改善短沟道效应,提高半导体存储器件的性能。该埋栅晶体管应用于半导体存储器件。埋栅晶体管包括衬底、栅沟槽、栅介质层和栅导体层。栅沟槽设在衬底上,栅沟槽包括上部和下部,栅沟槽的上部和下部相接处形成颈部;栅介质层位于栅沟槽的内壁上;栅导体层位于栅沟槽的下部,并且位于栅介质层的内壁上。本发明提供的埋栅晶体管及其制造方法用于半导体存储器件制作。 主权项 1.一种埋栅晶体管,其特征在于,应用于半导体存储器件,所述埋栅晶体管包括衬底、栅沟槽、栅介质层和栅导体层;所述栅沟槽设在所述衬底上,所述栅沟槽包括上部和下部,所述栅沟槽的上部和下部相接处形成颈部;所述栅介质层位于所述栅沟槽的内壁上;所述栅导体层位于所述栅沟槽的下部,并且位于所述栅介质层的内壁上。     IPC信息 IPC主分类号 H01L29/78 H 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕     法律状态信息 法律状态公告日 20220218 法律状态 公开 法律状态信息 CN202010753985 20220218 公开 公开     代理信息 [...]

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