[实用新型] C形沟道部存储器件 – CN215988757U 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202122129002.9
申请日
20210903
公开(公告)号
CN215988757U
公开(公告)日
20220308
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
朱慧珑;黄伟兴 专利类型 实用新型
摘要
本实用新型公开了一种C形沟道部存储器件。根据实施例,存储器件可以包括:衬底上的沟道部,沟道部包括与衬底的表面垂直的截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线;相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的源/漏部;围绕沟道部的外周的栅电极;以及介于栅电极与沟道部之间的电性存储层。根据实施例的存储器件可以具有高性能和高密度的优点。
主权项
1.一种存储器件,其特征在于,包括:衬底上的沟道部,所述沟道部包括与所述衬底的表面垂直的截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线;相对于所述衬底分别处于所述沟道部的上下两端的源/漏部;围绕所述沟道部的外周的栅电极;以及介于所述栅电极与所述沟道部之间的电性存储层。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/11521
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220308
法律状态
授权 法律状态信息
CN202122129002 20220308 授权 授权

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
倪斌