[实用新型] 基于光电隔离的Micro-LED器件 – CN215955302U 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202122583403.1
申请日
20211026
公开(公告)号
CN215955302U
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址
215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号
发明人
徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 专利类型 实用新型
摘要
本实用新型揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件,所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极,所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构,P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构,所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层,所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层,所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。本实用新型中的Micro‑LED器件通过引入隔离层及反射层,可以实现器件的电学隔离及光学隔离,提高了器件的发光效率及显示对比度,降低了光学串扰效应。
主权项
1.一种基于光电隔离的Micro‑LED器件,其特征在于,所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极,所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构,P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构,所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层,所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层,所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L33/44
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L33/44 以涂层为特征的,例如钝化层或防反射涂层〔2010.01〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
授权 法律状态信息
CN202122583403 20220304 授权 授权

 

 
代理信息
代理机构名称
苏州三英知识产权代理有限公司 32412
代理人姓名
周仁青