[实用新型] 基于光电隔离的Micro-LED器件 – CN215955302U 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202122583403.1 |
申请日
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20211026 |
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公开（公告）号
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CN215955302U |
公开（公告）日
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20220304 |
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申请（专利权）人
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
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申请人地址
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215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号
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发明人
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徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 | 专利类型 | 实用新型 |
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摘要
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本实用新型揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。本实用新型中的Micro‑LED器件通过引入隔离层及反射层，可以实现器件的电学隔离及光学隔离，提高了器件的发光效率及显示对比度，降低了光学串扰效应。 | ||
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主权项
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1.一种基于光电隔离的Micro‑LED器件，其特征在于，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L33/44 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L33/44 以涂层为特征的，例如钝化层或防反射涂层〔2010.01〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220304 |
法律状态
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授权 | 法律状态信息 |
CN202122583403 20220304 授权 授权
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代理信息
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代理机构名称
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苏州三英知识产权代理有限公司 32412 |
代理人姓名
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周仁青 |