[发明专利] MoX2/WX2横向异质结的制备方法 – CN114122194A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111406267.7
申请日
20211124
公开(公告)号
CN114122194A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
王爽;于广辉;张燕辉;陈志蓥 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法,通过将两种金属源配置成前驱体溶液,在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后,采用CVD法,即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结;本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离,也无需在实验过程中精确控制实验参数,即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结;通过改变X蒸汽的引入时间,还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数;本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利,没有产生合金现象,且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便,适用性较广,从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
主权项
1.一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:配置钼酸钠与钨酸钠的混合溶液;在所述混合溶液中加入碱性物质,调整所述混合溶液呈弱碱性,以配置前驱体溶液;提供衬底,将所述前驱体溶液涂覆于所述衬底的表面,构成待反应结构;采用CVD法,将所述待反应结构及X粉体置于炉管中,通入惰性气体,进行加热;排出炉管中的惰性气体,引入X蒸汽,进行反应;降温处理,获得MoX2/WX2横向异质结,其中,X元素为Se元素或S元素。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L31/18
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L21/00)〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111406267 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人姓名
卢炳琼