[发明专利] GaN HEMT器件过流保护电路 – CN114123099A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111580276.8
申请日
20211222
公开(公告)号
CN114123099A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院电工研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村北二条6号
发明人
曹国恩;王一波;由弘扬;王环 专利类型 发明专利
摘要
本发明属于功率器件应用领域,具体涉及了一种GaN HEMT器件过流保护电路,旨在解决常规GaN HEMT器件的过流检测技术存在响应速度慢、抗干扰能力差、电路复杂、成本高的问题。本发明包括:待测GaN HEMT器件、有源钳位电路、电压信号处理电路、电压比较电路、驱动电路,通过采用电压钳位电路实现高速开关状态下GaN HEMT在导通阶段通态压降的精确测量,将测量值实时与器件过流保护阈值相比较,并进行保护动作。本发明具有结构简单、检测精度高、检测带宽高、可靠性高、抗干扰能力强的优点。
主权项
1.一种GaN HEMT器件过流保护电路,其特征在于,该GaN HEMT器件过流保护电路包括待测GaN HEMT器件、有源钳位电路、电压信号处理电路、电压比较电路、驱动电路;所述待测GaN HEMT器件为单个GaN HEMT开关管或GaN HEMT功率模块;所述有源钳位电路包括串联的钳位开关管和钳位电容,所述有源钳位电路与所述待测GaN HEMT器件并联,用于待测GaN HEMT器件导通状态下导通压降的精确测量;所述电压信号处理电路为高速运放电路,所述高速运放电路与所述钳位电容并联,用于测量所述钳位电容两端的电压并对测量的电压信号进行滤波和放大处理;所述电压比较电路用于将所述电压信号处理电路处理后的电压信号与所述待测GaN HEMT器件的过流保护阈值进行比较,并根据比较结果控制所述驱动电路的工作状态;所述驱动电路用于驱动所述待测GaN HEMT器件和所述钳位开关管。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H02H3/08
H 电学

H02 发电、变电或配电

H02H 紧急保护电路装置

H02H3/08 对过电流响应的(对因过电流引起的异常温度响应的入H02H5/04)

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111580276 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482
代理人姓名
宋宝库;屠晓旭