[发明专利] 集成器件及其制备方法 – CN114142339A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111450832.X
申请日
20211130
公开(公告)号
CN114142339A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
周代兵;梁松;赵玲娟;王圩 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种集成器件及其制备方法,集成器件包括:衬底;调制器区和激光器区,调制器区和激光器区形成在衬底的同一表面并相邻设置;其中,调制器区上设有深脊波导,激光器区上设有浅脊波导;过渡区,形成于调制器区和激光器区之间并与调制器区和激光器区接触;过渡区的宽度沿激光器区指向调制器区方向上逐渐变小,以用于导引激光器区发射的激光进入调制器区。本发明通过激光器和调制器之间采用锥形结构过渡,实现了电吸收调制器的深脊波导用来降低电容,又满足了激光器区的浅脊波导保证激光器的性能,同时过渡区的锥形结构,降低了激光器和调制器的损耗,进而达到了高速率分布反馈激光器与电吸收调制器的单片集成。
主权项
1.一种集成器件,其特征在于,包括:衬底(10);调制器区(01)和激光器区(02),所述调制器区(01)和激光器区(02)形成在所述衬底(10)的同一表面并相邻设置;其中,所述调制器区(01)上设有深脊波导,所述激光器区(02)上设有浅脊波导;过渡区(23),形成于所述调制器区(01)和所述激光器区(02)之间并与所述调制器区(01)和所述激光器区(02)接触;所述过渡区(23)的宽度沿所述激光器区(02)指向所述调制器区(01)方向上逐渐变小,以用于导引所述激光器区(02)发射的激光进入调制器区(01)。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01S5/026
H 电学

H01 基本电气元件

H01S 利用受激发射的器件

H01S5/026 单块集成组件,例如波导、监测光探测器、激励器(输出稳定入H01S5/06;光导与光电元件的耦合入G02B6/42;专门适用于光发射,由在一共用基片内或其上形成的多个半导体器件或其他固态组件组成的器件入H01L27/15)〔7〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111450832 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
王文思