[发明专利] 锑化镓晶片湿法腐蚀方法 – CN114108102A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111415710.7
申请日
20211125
公开(公告)号
CN114108102A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
谢辉;赵有文;赵士强;沈桂英;刘京明;王凤华 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法,包括:将锑化镓晶片进行去蜡处理,减少颗粒和杂质的吸附;将去蜡后的锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡,去除锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质;对腐蚀后的锑化镓晶片进行冲洗并干燥。该方法能够有效减少锑化镓晶片表面的杂质,降低晶片的表面颗粒度,提高外延结构的质量。
主权项
1.一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法,包括:将锑化镓晶片进行去蜡处理,减少颗粒和杂质的吸附;将去蜡后的所述锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡,去除所述锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质;对腐蚀后的所述锑化镓晶片进行冲洗并干燥。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
C30B33/10
C 化学;冶金

C30 晶体生长

C30B 单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置

C30B33/10 在溶液或熔体内〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111415710 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
张博