[发明专利] 透射电镜样品的制备方法及装置 – CN114252309A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202011017805.9
申请日
20200924
公开(公告)号
CN114252309A
公开(公告)日
20220329
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
李德元;余嘉晗 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供一种透射电镜样品的制备方法及装置。本公开的透射电镜样品的制备方法包括:制备预设尺寸的掩模板;将所述掩模板叠放于半导体样品表面的第一区域;利用聚焦离子束切削减薄所述半导体样品表面的第二区域,所述第二区域与所述第一区域相邻,以获得具有特定薄区的透射电镜样品。该方案的优点在于:在聚焦离子束切削样品时采用掩模板进行保护,可以控制新产品研发过程中聚焦离子束切削产生的波纹状损伤。制作的透射电镜样品无波纹状损伤,质量高,从而改善了欲分析样品的图像质量变差的问题,降低了分析周期,提高了研发效率。
主权项
1.一种透射电镜样品的制备方法,其特征在于,包括:制备预设尺寸的掩模板;将所述掩模板叠放于半导体样品表面的第一区域;利用聚焦离子束切削减薄所述半导体样品表面的第二区域,所述第二区域与所述第一区域相邻,以获得具有特定薄区的透射电镜样品。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G01N1/28
G 物理

G01 测量;测试

G01N 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料

G01N1/28 测试用样品的制备(将样品安装在显微镜载片上入G02B21/34;电子显微镜中支承被分析的物品或材料的装置入H01J37/20)

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220329
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011017805 20220329 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达