[发明专利] 蜂窝状图形的制造方法以及DRAM的制造方法 – CN114093762A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
 CN202010751563.X
申请日
 20200730
公开（公告）号
 CN114093762A
公开（公告）日
 20220225
申请（专利权）人
 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
 车世浩;周娜;李俊杰 专利类型 发明专利
摘要
 本发明涉及蜂窝状图形的制造方法以及DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有工艺为了得到蜂巢图案光刻工艺数增加，导致生产成本增加、产生工艺差异，产品良率低的问题。该孔的制造方法包括提供半导体衬底→沉积第一掩膜材料，形成第一掩膜材料层→刻蚀第一掩膜材料层，得到第一掩膜层→沉积材料层→刻蚀侧墙材料层→填充→去除侧墙材料→形成具有第一图案和第二图案的第一蜂窝状图形。本发明减少光刻工艺的次数，降低生产成本，增加产品良率。
主权项
 1.一种蜂窝状图形的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；刻蚀所述第一掩膜材料层，得到具有第一图案的第一掩膜层；沉积侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层，形成位于所述第一图案侧壁的侧墙和多个孔，所述孔露出所述待刻蚀层的上表面；利用第二掩膜材料填充所述多个孔，形成具有第二图案的第二掩膜层；去除所述侧墙，形成具有第一图案和第二图案的第一蜂窝状图形。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
 H01L21/308
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件

H01L21/308 应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）〔2，6〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
 20220225
法律状态
 公开 法律状态信息
CN202010751563 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386
代理人姓名
 丛洪杰