[发明专利] 等离激元激光器微腔及其制备方法 – CN114069383A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111373233.2 |
申请日
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20211118 |
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公开（公告）号
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CN114069383A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院半导体研究所 | ||
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申请人地址
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100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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发明人
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李万里;彭轩然;李兆峰;杨富华;王晓东 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本公开提供一种等离激元激光器微腔，包括：金属基板，其上设置有多个凹槽；以及半导体纳米线，对应所述多个凹槽上方设置于所述金属基板表面。同时还提供一种等离激元激光器微腔的制备方法，用于制备上述等离激元激光器微腔，包括：操作S1：以云母为基底在其上生长金属基板；操作S2：在所述金属基板上刻蚀多个凹槽；以及操作S3：对应所述多个凹槽上方在所述金属基板表面制备半导体纳米线。 | ||
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主权项
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1.一种等离激元激光器微腔，包括：金属基板，其上设置有多个凹槽；以及半导体纳米线，对应所述多个凹槽上方设置于所述金属基板表面。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01S5/10 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111373233 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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樊晓 |