[发明专利] 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用 – CN114108072A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010885994.5
申请日
20200828
公开(公告)号
CN114108072A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址
201800 上海市嘉定区清河路390号
发明人
杭寅;张宇航;李善明;房倩楠;朱影;陶斯亮 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种可作为红外波段固体激光器的增益介质的稀土离子掺杂的GdScO3倍半氧化物激光晶体,涉及激光晶体增益材料技术领域。该晶体可通过熔体法生长出优质单晶,且具有较低的声子能量(452cm‑1和较宽的荧光光谱(~100nm),掺入Yb3+、Tm3+、Ho3+等稀土激活离子后有望实现1μm和2μm波段高功率、可调谐连续激光及超短脉冲激光输出。本发明提供的晶体生长方法可生长出高质量的单晶,所制作的全固态红外波段激光器具有波长可调谐、脉宽超短等特点,在激光精密加工、激光医疗,军事,遥感等方面具有广泛的应用。
主权项
1.一种稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体,其特征在于:该晶体的化学式为:AxByGd1-x-yScO3,当y=0,0.001≤x≤0.2,A为Yb、Ho或Tm;当0.001≤y≤0.2,0.001≤x≤0.2时,A为Tm,B为Ho。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
C30B15/04
C 化学;冶金

C30 晶体生长

C30B 单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置

C30B15/04 添加掺杂材料,例如用于n-p结的〔3〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010885994 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317
代理人姓名
张宁展