[发明专利] 石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法 – CN114122173A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010881738.9
申请日
20200827
公开(公告)号
CN114122173A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
任慧雪;韩培德 专利类型 发明专利
摘要
一种石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法,该集成结构包括n型硅基区、p+型晶体硅发射区、n+硅掺杂区、隔离槽、钝化层、背光面电极、石墨烯膜层、石墨烯表面电极以及迎光面电极。本发明通过将石墨烯旁路二极管与太阳电池集成,在不影响组件封装的情况下,实现每个太阳电池均受到旁路二极管的保护;通过激光划刻将石墨烯二极管与太阳电池隔离开,可以有效降低旁路二极管与太阳电池交界处的漏电与发热现象;由采用该技术的太阳电池组成的光伏组件可以大幅降低电流失配对组件的输出功率及安全性的影响。
主权项
1.一种石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构,包括:n型硅基区,用于制作晶硅太阳电池及石墨烯旁路二极管结构;p+型晶体硅发射区,设置在n型硅基区的迎光面,用于与n型硅基区形成pn结,作为晶硅太阳电池进行光电转换的功能区;n+硅掺杂区,设置在n型硅基区的背光面,作为晶硅太阳电池的背场,与晶硅太阳电池背光面电极形成欧姆接触;隔离槽,设置在n+硅掺杂区上,将n+硅掺杂区隔离成两部分,用于防止晶硅太阳电池与石墨烯二极管交接处的漏电;钝化层,设置在n+硅掺杂区背光面,钝化层上设有背光面电极窗口和目标窗口,用于钝化n+硅掺杂区表面;背光面电极,设置在背光面电极窗口上,用于导出晶硅太阳电池体内的电子;石墨烯膜层,设置在目标窗口上,用于与n+硅掺杂区形成肖特基结;石墨烯表面电极,设置在石墨烯膜层背光面上,用于导出石墨烯二极管中载流子;以及迎光面电极,设置在p+型晶体硅发射区上,用于导出晶硅太阳电池体内的空穴。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L31/0443
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010881738 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩