[发明专利] 电容装置及其制备方法、存储器 – CN114121902A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010907054.1
申请日
20200901
公开(公告)号
CN114121902A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
卞成洙;高建峰;刘卫兵;李俊杰 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种电容装置及其制备方法、存储器,其中电容装置包括:衬底、卡接层、刻蚀阻挡层、下电极和接触焊盘;所述卡接层位于所述衬底的上方,所述刻蚀阻挡层位于所述卡接层的上方;所述接触焊盘位于所述衬底上,所述下电极贯穿所述刻蚀阻挡层和所述卡接层并与所述接触焊盘电连接;所述下电极的周侧设置有凸环,所述凸环与所述下电极一体成型连接,所述凸环位于所述卡接层内;所述下电极通过所述凸环与所述刻蚀阻挡层卡接。本发明能够防止下电极与接触焊盘相互脱离。
主权项
1.一种电容装置,其特征在于,包括:衬底、卡接层、刻蚀阻挡层、下电极和接触焊盘;所述卡接层位于所述衬底的上方,所述刻蚀阻挡层位于所述卡接层的上方;所述接触焊盘位于所述衬底上,所述下电极贯穿所述刻蚀阻挡层和所述卡接层并与所述接触焊盘电连接;所述下电极的周侧设置有凸环,所述凸环与所述下电极一体成型连接,所述凸环位于所述卡接层内;所述下电极通过所述凸环与所述刻蚀阻挡层卡接;所述下电极上有电容介质层和上电极。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L23/64
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L23/64 阻抗装置〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010907054 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667
代理人姓名
赵永刚