[发明专利] 用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法 – CN114122248A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111394827.1
申请日
20211123
公开(公告)号
CN114122248A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院物理研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明人
宿非凡;燕军祥;耿广州;李俊杰 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法,包括:对基片进行清洗;在清洗后的基片上进行电子束蒸发,形成超导金属薄膜;电子束蒸发包括第一功率蒸发和第二功率蒸发;电子束蒸发设备在第一功率蒸发的第一设定功率小于第二功率蒸发的第二设定功率;对蒸发有超导金属薄膜的基片进行激光直写光刻;对光刻后的基片上的超导金属薄膜进行刻蚀,暴露出基片上用于制备超导量子比特的约瑟夫森结结构的基底区域。本方法通过预先用小功率生长小厚度的超导金属薄膜,减少了对基片的损害,而后再用大功率完成超导金属薄膜的生长,既保证了薄膜生长的质量与效率,又减小了对基片的损害,降低了粗糙度,有效提升超导量子比特的能量弛豫时间。
主权项
1.一种用于超导量子比特的金属薄膜的变功率制备方法,其特征在于,所述方法包括:对基片进行清洗;在清洗后的基片上进行电子束蒸发,形成超导金属薄膜;所述电子束蒸发包括第一功率蒸发和第二功率蒸发两个过程;其中,电子束蒸发设备在所述第一功率蒸发的第一设定功率小于所述第二功率蒸发的第二设定功率;对蒸发有超导金属薄膜的基片进行激光直写光刻;对所述光刻后的基片上的超导金属薄膜进行刻蚀,暴露出基片上用于制备超导量子比特的约瑟夫森结结构的基底区域。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L39/24
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L39/24 专门适用于制造或处理包含在H01L39/00组内的器件或其部件的方法或设备(半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L21/00;从其他材料分离出超导材料的磁性分离,如用迈斯纳效应的入B03C1/00)〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111394827 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539
代理人姓名
白洁