[发明专利] 抑制GIDL的MOSFET及其制造方法及包括MOSFET的电子设备 – CN114093949A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
|---|---|---|---|
|
申请号
|
CN202111285529.9 |
申请日
|
20211101 |
|
公开（公告）号
|
CN114093949A |
公开（公告）日
|
20220225 |
|
申请（专利权）人
|
中国科学院微电子研究所 | ||
|
申请人地址
|
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
|
||
|
发明人
|
朱慧珑 | 专利类型 | 发明专利 |
|
摘要
|
公开了一种能够抑制栅致漏极泄漏(GIDL)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法及包括这种MOSFET的电子设备。根据实施例，MOSFET可以包括：衬底上的竖直沟道部；相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的源/漏部；以及与沟道部相对的栅堆叠。沟道部具有掺杂浓度分布，使得在MOSFET为n型MOSFET(nMOSFET)时，沟道部中靠近源/漏部之一的第一部分的阈值电压低于与第一部分相邻的第二部分的阈值电压；或在MOSFET为p型MOSFET(pMOSFET)时，沟道部中靠近源/漏部之一的第一部分的阈值电压高于与第一部分相邻的第二部分的阈值电压。 | ||
|
主权项
|
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管即MOSFET，包括：衬底上的竖直沟道部；相对于所述衬底分别处于所述沟道部的上下两端的源/漏部；以及与所述沟道部相对的栅堆叠，其中，所述沟道部具有掺杂浓度分布，使得在所述MOSFET为n型MOSFET即nMOSFET时，所述沟道部中靠近所述源/漏部之一的第一部分的阈值电压低于与所述第一部分相邻的第二部分的阈值电压；或在所述MOSFET为p型MOSFET即pMOSFET时，所述沟道部中靠近所述源/漏部之一的第一部分的阈值电压高于与所述第一部分相邻的第二部分的阈值电压。 | ||
|
IPC信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
IPC主分类号
|
H01L29/78 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 |
|||
|
法律状态信息
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|
|
法律状态公告日
|
20220225 |
法律状态
|
公开 | 法律状态信息 |
CN202111285529 20220225 公开 公开
|
|
代理信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
代理机构名称
|
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
|
倪斌 |