[发明专利] 形成用于半导体的电容器结构的方法和电容器 – CN114068414A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010761525.2 |
申请日
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20200731 |
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公开（公告）号
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CN114068414A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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许民;张铉瑀;吴容哲;姜东勋;杨涛;李俊峰;王文武 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明涉及一种形成用于半导体的电容器结构的方法和电容器，包括如下步骤：形成多个柱形存储电极；在每个柱形存储电极的顶部形成侧墙形状的第一支撑体，其中，第一支撑体的上表面与所述柱形存储电极的顶部齐平，多个第一支撑体形成第一支撑层；基于所述第一支撑体，在第一支撑层之下形成支撑柱形存储电极的其他支撑层。能够简单的形成网状或格状等的交叉形状的支撑层，降低工艺成本和生产时间。使电容器即便具有非常高的高宽比，也不会倾倒，能够根本性地解决电容器倾倒的问题。 | ||
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主权项
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1.一种形成用于半导体的电容器结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：形成多个柱形存储电极；在每个柱形存储电极的顶部形成侧墙形状的第一支撑体，其中，第一支撑体的上表面与所述柱形存储电极的顶部齐平，多个第一支撑体形成第一支撑层；基于所述第一支撑体，在第一支撑层之下形成支撑柱形存储电极的其他支撑层。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L21/8242 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L21/8242 动态随机存取存储结构（DRAM）〔6〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010761525 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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刘广达 |