[发明专利] 异质结及其制备方法 – CN114078955A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010842090.4
申请日
20200820
公开(公告)号
CN114078955A
公开(公告)日
20220222
申请(专利权)人
中国科学院物理研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明人
曹立新;王瑞;黄忠学;杨鑫;陈浩锋 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种异质结,该异质结由外延的磁性半导体薄膜与外延的超导体薄膜构成。本发明还提供一种制备本发明的异质结的方法。本发明的异质结通过同构异质外延制备了具有近乎完美、稳定可重复的安德烈夫界面,在测量磁性半导体的自旋极化率、获得完全自旋极化的自旋流等方面具有应用潜力。
主权项
1.一种异质结,该异质结由外延的磁性半导体薄膜与外延的超导体薄膜构成。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L29/267
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L29/267 在不同半导体区域中的〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220222
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010842090 20220222 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280
代理人姓名
郭广迅