[发明专利] 存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备 – CN114121959A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111381851.1 |
申请日
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20211119 |
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公开（公告）号
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CN114121959A |
公开（公告）日
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20220301 |
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申请（专利权）人
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北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 | ||
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申请人地址
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100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街京东贝科技园11栋4层
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发明人
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王琪;朱慧珑 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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公开了一种存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括：衬底；衬底上沿第一方向延伸的多条字线；衬底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸的多条位线；以及衬底上的存储单元阵列，包括分别电连接到相应字线和相应位线的多个存储单元。每个存储单元可以包括：有源区，沿着相对于第一方向倾斜的第三方向延伸，且包括第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的竖直堆叠；以及栅堆叠，在竖直方向上介于第一源/漏层与第二源/漏层之间，且设于沟道层在与第三方向正交的第四方向上的相对两侧以夹着沟道层。每个存储单元的相应字线在第一方向上跨过该存储单元延伸，以接触并电连接到该存储单元的相对两侧上的栅堆叠。 | ||
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主权项
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1.一种存储器件，包括：衬底；所述衬底上沿第一方向延伸的多条字线；所述衬底上沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的多条位线；以及所述衬底上的存储单元阵列，包括分别电连接到所述多条字线中的相应字线以及所述多条位线中的相应位线的多个存储单元，其中，每个所述存储单元包括：有源区，沿着相对于所述第一方向倾斜的第三方向延伸，且包括第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的竖直堆叠；以及栅堆叠，在竖直方向上介于所述第一源/漏层与所述第二源/漏层之间，且设于所述沟道层在与所述第三方向正交的第四方向上的相对两侧以夹着所述沟道层，其中，每个所述存储单元的相应字线在所述第一方向上跨过该存储单元延伸，以接触并电连接到该存储单元的所述相对两侧上的栅堆叠。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L27/108 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111381851 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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倪斌 |