[发明专利] 存储单元及其制备方法、三维存储器及其操作方法 – CN114093910A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111329929.5
申请日
20211110
公开(公告)号
CN114093910A
公开(公告)日
20220225
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
张刚;李春龙;霍宗亮;叶甜春 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了一种存储单元,包括:堆叠层,层叠于衬底上,包括:贯穿堆叠层及部分衬底的多个沟道孔;其中,形成多个沟道孔后的堆叠层中至少一层第二叠层材料层被刻蚀形成环状限制结构;栅极介质层,位于被刻蚀形成环状限制结构后的多个沟道孔的表面上;沟道层,位于栅极介质层的表面上;阻变层,位于与环状限制结构对应的沟道层的表面上;其中,控制施加于至少一层第二叠层材料层的门栅电压和与沟道层连接的位线脉冲信号,改变阻变层的阻值态,实现该存储单元对阻变层的读取、写入或擦除操作。本公开还提供了一种存储单元的制备方法、三维存储器及其操作方法。
主权项
1.一种存储单元,其特征在于,包括:堆叠层,层叠于衬底上,包括:贯穿所述堆叠层及部分所述衬底的多个沟道孔;其中,形成所述多个沟道孔后的所述堆叠层中至少一层第二叠层材料层被刻蚀形成环状限制结构;栅极介质层,位于被刻蚀形成所述环状限制结构后的所述多个沟道孔的表面上;沟道层,位于所述栅极介质层的表面上;阻变层,位于与所述环状限制结构对应的所述沟道层的表面上;其中,控制施加于所述至少一层第二叠层材料层的门栅电压和与所述沟道层连接的位线脉冲信号,改变所述阻变层的阻值态,实现该存储单元对所述阻变层的读取、写入或擦除操作。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/24
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/24 包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大,或切换的固态组件的〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220225
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111329929 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
王文思