[发明专利] 基于SnSex的可见紫外光芯片及其制备方法和应用 – CN114122035A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111388618.6
申请日
20211122
公开(公告)号
CN114122035A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
深圳先进技术研究院
申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
发明人
武双元;杨春雷;陈明;邵龑;朱元昊;陈志勇 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种基于SnSex的可见紫外光芯片及其制备方法和应用。具体公开了一种基于二维材料SnSex的可见紫外光芯片,其包括支撑衬底、垂直生长于所述支撑衬底的二维材料SnSex,x为1.6~2.2;以及覆盖于SnSex表面的顶电极;所述支撑衬底为互补金属氧化物半导体,所述顶电极为在SnSex表面依次设置的未掺杂的氧化锌层和铝掺杂的氧化锌层;所述垂直生长于所述支撑衬底的二维材料SnSex通过封装胶固定。本发明的可见紫外光芯片制备方法简单,首次采用CMOS与二维纳米材料集成,本发明提供的可见紫外光芯片量子效率高,响应时间短,相比于现有技术提高了光吸收率,可用于宽波段光电探测器的制备。
主权项
1.一种基于二维材料SnSex的可见紫外光芯片,其特征在于,其包括支撑衬底、垂直生长于所述支撑衬底的二维材料SnSex,x为1.6~2.2;以及覆盖于SnSex表面的顶电极;所述支撑衬底为互补金属氧化物半导体(CMOS),所述顶电极为在SnSex表面依次设置的未掺杂的氧化锌层(i‑ZnO)和铝掺杂的氧化锌层(AZO);所述垂直生长于所述支撑衬底的二维材料SnSex通过封装胶固定;优选地,所述垂直生长于所述支撑衬底的二维材料SnSex中SnSex纳米片的厚度为20nm~30nm,高度为80μm~120μm;优选地,支撑衬底表面具有未覆盖二维材料SnSex和顶电极的裸露区域。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/146
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/146 图像结构〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111388618 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京市诚辉律师事务所 11430
代理人姓名
范盈;李玉娜