[发明专利] 基于反常约瑟夫森效应的器件、其制备及相位调控方法 – CN114122246A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111411901.6 |
申请日
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20211125 |
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公开（公告）号
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CN114122246A |
公开（公告）日
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20220301 |
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申请（专利权）人
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中国科学院物理研究所 | ||
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申请人地址
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100190 北京市海淀区中关村南三街8号
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发明人
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张祥;吕力 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明提供了一种基于反常约瑟夫森效应的器件所述基于反常约瑟夫森效应的器件从下至上依次包括衬底、纳米片、约瑟夫森N结图层(N为≥3的整数)、第一层金属膜、绝缘层、探测电极图层、第二层金属膜，还提供了其制备及相位调控方法。本发明的基于反常约瑟夫森效应的器件利用反常约瑟夫森效应来调控结区的相位差，从而丰富调控结区相位差的手段，同时也能完全控制约瑟夫森多结所有的相位差，有助于未来对拓扑量子比特的操控与读取。 | ||
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主权项
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1.一种基于反常约瑟夫森效应的器件，其特征在于，所述基于反常约瑟夫森效应的器件从下至上依次包括衬底、纳米片、约瑟夫森N结图层(N为≥3的整数)、第一层金属膜、绝缘层、探测电极图层、第二层金属膜；优选地，所述衬底为提前制备好标记阵列的衬底；和/或优选地，所述基于反常约瑟夫森效应的器件为约瑟夫森三结器件和约瑟夫森四结器件；最优选为约瑟夫森三结器件。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L39/22 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L39/22 包含有一个不同材料结点的器件，例如约瑟夫逊效应器件〔2〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111411901 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 |
代理人姓名
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刘丹妮 |