[发明专利] 在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件 – CN114057157A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010779451.5
申请日
20200805
公开(公告)号
CN114057157A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
贺晓彬;李俊峰;刘金彪;李亭亭;高建峰 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及微电子机械系统设计及加工技术领域,具体涉及一种在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件,包括以下步骤:在衬底硅的背面生长硬掩模;对衬底硅的背面进行图案化处理;在硬掩模上形成图案;在所述衬底硅的正面涂敷SU‑8胶进行保护;使用四甲基氢氧化胺腐蚀所述衬底硅的背面;去除所述衬底硅正面涂敷的SU‑8胶。使得衬底硅的正面电路在TMAH腐蚀过程中不受侵蚀,同时还可以保证在涂敷过程中衬底硅的正面电路不受损伤,能有效的保护MEMS器件,为MEMS的发展带来更广阔的应用前景。
主权项
1.一种在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底硅的背面生长硬掩模;对衬底硅的背面进行图案化处理;在硬掩模上形成图案;在所述衬底硅的正面涂敷SU-8胶进行保护;使用四甲基氢氧化胺腐蚀所述衬底硅的背面;去除所述衬底硅正面涂敷的SU-8胶。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
B81B7/04
B 作业;运输

B81 微观结构技术

B81B 微观结构的装置或系统,例如微观机械装置

B81B7/04 类似的微观结构装置的网络或排列〔7〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010779451 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
金铭