[发明专利] 在半导体衬底上制作交叉线的方法 – CN114171668A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111275439.1
申请日
20211029
公开(公告)号
CN114171668A
公开(公告)日
20220311
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
贺晓彬;杨涛;刘金彪;李亭亭;唐波;李俊峰;罗军 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种在半导体衬底上制作交叉线的方法。在半导体衬底上制作交叉导线的方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底的上表面形成第一导电层;对第一导电层进行部分刻蚀去除,得到第一方向的导线条;对所述第一方向的导线条的表面进行氧化处理;在所述氧化处理之后,形成第二导电层,所述第二导电层覆盖所述衬底和所述第一方向的导线条的表面;对第二导电层进行部分刻蚀去除,得到第二方向的导线条,所述第二方向的导线条与所述第一方向的导线条交叉。本发明避免了转角度溅射,能便于进行大规模量产,且均匀性相比原工艺有较大提升。
主权项
1.在半导体衬底上制作交叉导线的方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底的上表面形成第一导电层;对第一导电层进行部分刻蚀去除,得到第一方向的导线条;对所述第一方向的导线条的表面进行氧化处理;在所述氧化处理之后,形成第二导电层,所述第二导电层覆盖所述衬底和所述第一方向的导线条的表面;对第二导电层进行部分刻蚀去除,得到第二方向的导线条,所述第二方向的导线条与所述第一方向的导线条交叉;所述部分刻蚀的方法是:先涂光刻胶、曝光,然后加入显影液显影和腐蚀第二导电层,所述显影液为对光刻胶具有显影性且对所述第二导电层的材料具有腐蚀性。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L39/24
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L39/24 专门适用于制造或处理包含在H01L39/00组内的器件或其部件的方法或设备(半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L21/00;从其他材料分离出超导材料的磁性分离,如用迈斯纳效应的入B03C1/00)〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220311
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111275439 20220311 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
史晶晶