[发明专利] 双PN结式硅基光电二极管及其制备方法 – CN114141903A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111425090.5
申请日
20211126
公开(公告)号
CN114141903A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
发明人
王惟彪;陈伟帅;梁静秋;陶金;吕金光;秦余欣;郭广通;李香兰 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种双PN结式硅基光电二极管,包括:第一阳极、透光层、第二阳极、阴极、基底、第一探测区和第二探测区,第二探测区位于基底的上方,第二阳极位于基底的下方,第一探测区和阴极位于第二探测区的上方,第一阳极和透光层位于第一探测区的上方,在第一阳极、第二阳极和阴极之间施加相同的反向偏压,第一探测区吸收0.3‑0.5μm波段的入射光子,第二探测区吸收0.5‑1.1μm波段的入射光子,产生非平衡载流子,在内建电场作用下,使得电子到达阴极,空穴到达阳极,在外电路中形成电流,实现光电转换。本发明实现了可见光硅基光电器件能够同时满足高蓝光灵敏度、宽波段全覆盖以及近红外波段高电流增益的技术。
主权项
1.一种双PN结式硅基光电二极管,其特征在于,包括:第一阳极、透光层、第二阳极、阴极、基底、第一探测区和第二探测区,在所述基底的上方制备所述第二探测区,在所述基底的下方制备所述第二阳极,所述第一探测区和所述阴极位于所述第二探测区的上方,在所述第一探测区的上方制备所述第一阳极和所述透光层,所述第一探测区用于吸收0.3‑0.5μm波段的入射光子,所述第二探测区用于吸收0.5‑1.1μm波段的入射光子,所述入射光子产生非平衡载流子。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L31/107
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L31/107 以雪崩模式工作的势垒,如雪崩光二极管〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111425090 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218
代理人姓名
郭婷