[发明专利] 双模态传感器及其数据处理方法 – CN114136821A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111428372.0
申请日
20211126
公开(公告)号
CN114136821A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
王丽丽;李林林;沈国震;娄正 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了一种双模态传感器及其数据处理方法,该双模态传感器包括:活性层,设置于柔性衬底上;第一传感元件和第二传感元件,设置于活性层上;第二传感元件对称设置于第一传感元件两侧;第一传感元件和第二传感元件被配置为共用一个工作电极;填充层,设置于第一传感元件上,填充层的高度配置为第一传感元件和第二传感元件之间的高度差。
主权项
1.一种双模态传感器,包括:活性层,设置于柔性衬底上;第一传感元件和第二传感元件,设置于所述活性层上;所述第二传感元件对称设置于所述第一传感元件两侧;所述第一传感元件和所述第二传感元件被配置为共用一个工作电极;填充层,设置于所述第一传感元件上,所述填充层的高度配置为所述第一传感元件和所述第二传感元件之间的高度差。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G01N3/40
G 物理

G01 测量;测试

G01N 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料

G01N3/40 测试硬度或回弹硬度

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111428372 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
张博