[发明专利] 原子层沉积设备 – CN114107947A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010886205.X
申请日
20200828
公开(公告)号
CN114107947A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
昆山微电子技术研究院
申请人地址
215347 江苏省苏州市昆山市苇城南路1699号工研院综合大楼7层
发明人
范天庆;屈芙蓉;冯嘉恒;夏洋;高圣;刘晓静;李国庆;陶晓俊;沈云华;明帅强 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种原子层沉积设备,包括反应腔室;和反应腔室相连通用于向反应腔室内通入反应气体的气源装置;设置在反应腔室内部用于承载待反应样品的样品盘;设置在反应腔室内部的加热装置;加热装置用于对待反应样品表面沉积形成原子层薄膜持续按照预定温度持续加热预定时间,以便待反应样品在加热后退火。本申请中相对于常规的原子层沉积设备而言,在设备的反应腔室内部增加了加热装置,该加热装置用于在样品表面沉积形成原子层之后,对原子层薄膜进行高温退火加热,使得该原子层薄膜由非晶态转换成晶态结构,同时也能够避免高温对前驱体分解造成原子层无法沉积完全的问题,进而在一定程度上提高了原子层沉积设备沉积产生原子层的质量。
主权项
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括反应腔室;和所述反应腔室相连通用于向所述反应腔室内通入反应气体的气源装置;设置在反应腔室内部用于承载待反应样品的样品盘;设置在所述反应腔室内部的加热装置;其中,所述加热装置用于对所述待反应样品表面沉积形成原子层薄膜按照预定温度持续加热预定时间,以便所述待反应样品在加热后退火。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
C23C16/455
C 化学;冶金

C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010886205 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人姓名
薛娇