[发明专利] 半导体电容器结构及制造方法 – CN114068540A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010761595.8 |
申请日
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20200731 |
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公开（公告）号
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CN114068540A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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全宗植;吴容哲;杨涛;李俊峰;王文武 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本申请公开了一种半导体电容器结构及制造方法，半导体电容器结构，包括：底层，所述底层包括间隔分布的多个焊垫；下电极，所述下电极包括底部和底部两边的侧壁，所述底部位于所述焊垫的顶面上；介质层，沿着所述下电极的内侧壁形成；上电极，填充于所述介质层容纳的空间中；支撑层，至少一对相邻所述下电极的侧壁之间设置有三层或三层以上支撑层。本申请实施例提供的半导体电容器结构，在相邻两电极之间沿着垂直于底层的方向上具有多个支撑层，解决了由于倾斜裕量不足导致的电容器高度上限问题，获取了更多的刻蚀裕量，可以确保获取存储电容所需要的电容器高度。 | ||
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主权项
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1.一种半导体电容器结构，其特征在于，包括：底层，所述底层包括间隔分布的多个焊垫；下电极，所述下电极包括底部和底部两边的侧壁，所述底部位于所述焊垫的顶面上；介质层，沿着所述下电极的底壁和内侧壁形成；上电极，填充于所述介质层容纳的空间中；支撑层，至少一对相邻所述下电极的侧壁之间设置有三层或三层以上支撑层。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L27/108 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010761595 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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刘广达 |