[发明专利] 半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备 – CN114068539A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010761579.9 |
申请日
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20200731 |
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公开（公告）号
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CN114068539A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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全宗植;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本公开提供了半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该电容器结构包括半导体基底，半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫，下电极的底部位于焊垫上。至少一层下支撑件和上支撑件设置于下电极的侧壁之间，下电极的厚度自下电极的顶端向下均匀分布。存储器包括半导体电容器结构。电子设备包括存储器。该制造方法包括：在半导体基底上形成第一叠层和第二叠层。刻蚀第二、第一叠层，以形成穿过下支撑层的凹槽并回填。刻蚀第二、第一叠层，从而形成电容孔，进而形成下电极。基于凹槽进行刻蚀，以形成上支撑件和下支撑件。本公开创新地在沉积下电极前进行支撑层刻蚀工序，解决了常规技术在后刻蚀支撑层时产生的损伤下电极等问题。 | ||
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主权项
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1.一种半导体电容器结构，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫；下电极，所述下电极的底部位于所述焊垫上；至少一层下支撑件，设置于相邻的所述下电极的侧壁之间；至少一层上支撑件，也设置于相邻的所述下电极的侧壁之间，所述上支撑件处于所述下支撑件的上方；其中，所述下电极的厚度自所述下电极的顶端向下均匀分布。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L27/108 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010761579 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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付婧 |