[发明专利] 半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备 – CN114068541A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010763329.9
申请日
20200731
公开(公告)号
CN114068541A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;李俊峰;王文武 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该电容器结构包括半导体基底、下电极及至少三层支撑件。半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫,下电极的底部位于焊垫上,各支撑件设置于相邻的下电极的侧壁之间。动态随机存储器包括半导体电容器结构,电子设备包括存储器。该方法包括:在半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫,依次形成第一叠层结构和第二叠层结构;刻蚀第一叠层和第二叠层,形成电容节点孔,刻蚀剩余的第一叠层和第二叠层,以形成下电极外侧的至少三层支撑件。本公开在相邻的两电极之间沿着垂直于底层的方向上具有多个支撑层,解决了由于倾斜裕量不足导致的电容器高度上限问题。
主权项
1.一种半导体电容器结构,其特征在于,包括:半导体基底,所述半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫;下电极,所述下电极的底部位于所述焊垫上;至少三层支撑件,设置于相邻的所述下电极的侧壁之间。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/108
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010763329 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达