[发明专利] 半导体存储器、其制作方法及电子设备 – CN114068537A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010761200.4 |
申请日
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20200731 |
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公开（公告）号
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CN114068537A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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全宗植;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本公开提供一种半导体存储器、其制作方法及一种电子设备。本公开的半导体存储器包括：位线层，具有至少一条位线；有源层，位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区；栅堆叠，所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围；以及，存储层，位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。该半导体存储器通过垂直地将位线所在层和存储区分离到有源区的上/下，使上/下分离的两个层和连接中间有源区的接触不在同一平面上，确保了平面上的工艺裕度，从而可以改善半导体存储器设计层面的限制，提升半导体存储器的性能。 | ||
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主权项
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1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：位线层，具有至少一条位线；有源层，位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区；栅堆叠，所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围；以及，存储层，位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L27/108 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010761200 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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刘广达 |