[发明专利] 半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备 – CN114141749A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010917314.3
申请日
20200903
公开(公告)号
CN114141749A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
裴俊值;高建峰;刘卫兵;李俊杰;卢一泓 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备。该器件包括堆叠金属层、气隙及第一间隔物等,气隙沿着堆叠金属层的侧面设置,以包围堆叠金属层;而且第一间隔物沿着气隙的侧面设置,以包围气隙。动态随机存取存储器包括本公开的半导体器件。该电子设备包括本公开的动态随机存取存储器。该制造方法包括:采用刻蚀的方式在堆叠金属层上形成凹槽,在凹槽的侧壁上依次形成第二间隔物和第一间隔物,第二间隔物处于堆叠金属层与第一间隔物之间;去除第二间隔物,以在堆叠金属层与第一间隔物之间形成气隙。本公开提供的技术方案能够在堆叠金属层旁加工出气隙,从而有效改善寄生电阻和寄生电容导致的存储器等芯片性能变差的问题。
主权项
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体基底;至少一层堆叠金属层,设置于所述半导体基底的上方;气隙,沿着所述堆叠金属层的侧面设置,以包围所述堆叠金属层;第一间隔物,沿着所述气隙的侧面设置,以包围所述气隙;其中,所述气隙处于所述堆叠金属层与所述第一间隔物之间。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L23/528
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L23/528 互连结构的布置〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010917314 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
付婧