[发明专利] 半导体制造方法和半导体结构 – CN114256143A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202011025749.3
申请日
20200925
公开(公告)号
CN114256143A
公开(公告)日
20220329
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
李南照;高建峰;刘卫兵;李俊杰 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种半导体制造方法和半导体结构,包括如下步骤:在半导体基板上形成金属层沟槽;在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模;在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构;去除旋涂硬掩模和金属保护层,填充金属,形成金属层。通过在金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模,使沉积金属保护层覆盖金属层沟槽;再在金属层沟槽下形成金属层连接结构,能够减少等离子处理工艺在金属层沟槽导致的介电常数变化,从而改善半导体元件的性能。
主权项
1.一种半导体制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在半导体基板上形成金属层沟槽;在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模;在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构;去除旋涂硬掩模和金属保护层,填充金属,形成金属层。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L21/768
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220329
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011025749 20220329 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达