[发明专利] 制造DRAM电容器的方法 – CN114068416A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010763312.3 |
申请日
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20200731 |
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公开（公告）号
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CN114068416A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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许民;张铉瑀;吴容哲;姜东勋;杨涛;李俊峰;王文武 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明涉及一种制造DRAM电容器的方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成阻挡层、第一模制层、第一隔离层、第二模制层、第二隔离层和牺牲层后，使用光刻胶的曝光与刻蚀技术形成多个孔；利用所有的孔沉积下部电极后，形成多个圆筒形下部电极，使用刻蚀技术将第二隔离层之上作出下部电极外侧的环形侧墙；利用所述环形侧墙刻蚀第二隔离层、第二模制层、第一隔离层和第一模制层，留下的隔离层形成下部电极的支撑体。通过以环形侧墙作为掩膜，刻蚀去除其他模制层和隔离层，能够简单的形成支撑体，降低工艺成本和生产时间。使电容器即便具有非常高的高宽比，也不会倾倒，能够根本性地解决电容器倾倒的问题。 | ||
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主权项
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1.一种制造DRAM电容器的方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成阻挡层、第一模制层、第一隔离层、第二模制层、第二隔离层和牺牲层后，使用光刻胶的曝光与刻蚀技术形成多个孔；利用所有的孔沉积下部电极后，形成多个圆筒形下部电极，使用刻蚀技术将第二隔离层之上作出下部电极外侧的环形侧墙；利用所述环形侧墙刻蚀第二隔离层、第二模制层、第一隔离层和第一模制层，留下的隔离层形成下部电极的支撑体。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L21/8242 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L21/8242 动态随机存取存储结构（DRAM）〔6〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010763312 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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刘广达 |