[发明专利] 利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法 – CN114053818A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111292248.6 |
申请日
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20211103 |
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公开（公告）号
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CN114053818A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院金属研究所 | ||
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申请人地址
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110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
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发明人
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汤素芳;庞生洋;胡成龙;李建;赵日达 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明公开一种利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法，属于尾气处理方法和装置技术领域。该装置包括真空泵、真空泵前级处理系统和真空泵后级处理系统；其中：所述真空泵前级处理系统包括依次连接的金属滤芯处理器、超细薄膜滤芯处理器、安全阀5和油膜吸附处理器，所述金属滤芯处理器与沉积炉(CVD或CVI)相连接；所述真空泵后级处理系统包括相连接的颗粒吸附处理器和排风机；所述真空泵分别连接所述油膜吸附处理器、颗粒吸附处理器以及沉积炉(CVD炉或CVI炉)。本发明方法和装置可实现CVI设备连续长时间运转，高效率、低成本、操作简单、使用维护方便。 | ||
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主权项
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1.一种利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置，其特征在于：该装置包括真空泵、真空泵前级处理系统和真空泵后级处理系统；其中：所述真空泵前级处理系统包括依次连接的金属滤芯处理器、超细薄膜滤芯处理器、安全阀和油膜吸附处理器，所述金属滤芯处理器与沉积炉相连接；所述真空泵后级处理系统包括相连接的颗粒吸附处理器和排风机；所述真空泵分别连接所述油膜吸附处理器、颗粒吸附处理器以及沉积炉。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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B01D50/60 | ||
| B 作业；运输
B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01D 分离 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111292248 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 |
代理人姓名
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于晓波 |