[发明专利] 具有分光结构的光电探测器的制备方法 – CN114068762A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
|---|---|---|---|
|
申请号
|
CN202111371196.1 |
申请日
|
20211118 |
|
公开（公告）号
|
CN114068762A |
公开（公告）日
|
20220218 |
|
申请（专利权）人
|
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | ||
|
申请人地址
|
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
|
||
|
发明人
|
王惟彪;郭广通;梁静秋;陶金;吕金光;陈伟帅;李香兰;秦余欣 | 专利类型 | 发明专利 |
|
摘要
|
本发明提供一种具有分光结构的光电探测器的制备方法，包括如下步骤：S1、同时制备芯片、分光棱镜和反射结构；S2、在芯片的凸起部上表面生长第一环形电极；在芯片的外凹部上表面生长第二环形电极。S3、将分光棱镜安装在芯片凸起部的上方，将反射结构安装在芯片外凹部的上方，在第一环形电极与第二环形电极上分别焊接电极引线后，对制备完成的光电探测器进行封装。通过利用分光结构将可见光和近红外光分开的方式，让各谱段的光都进入各自完全吸收的深度，均衡了可见光与近红外光的响应速度和量子效率对于吸收层厚度的需求相互矛盾的问题。实现了宽谱段的光高效率快速响应的效果。 | ||
|
主权项
|
1.一种具有分光结构的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、同时制备芯片、分光棱镜和反射结构；S2、在所述芯片的凸起部的上表面生长第一环形电极；在所述芯片的外凹部的上表面生长第二环形电极；S3、将所述分光棱镜安装在所述芯片的凸起部的上方，将所述反射结构安装在所述芯片的外凹部的上方，在所述第一环形电极与所述第二环形电极上分别焊接电极引线后，对制备完成的光电探测器进行封装。 | ||
|
IPC信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
IPC主分类号
|
H01L31/18 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L21/00）〔2〕 |
|||
|
法律状态信息
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|
|
法律状态公告日
|
20220218 |
法律状态
|
公开 | 法律状态信息 |
CN202111371196 20220218 公开 公开
|
|
代理信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
代理机构名称
|
长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 |
代理人姓名
|
郭婷 |