[发明专利] 光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法 – CN114137797A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010917348.2
申请日
20200903
公开(公告)号
CN114137797A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
刘智龙;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 专利类型 发明专利
摘要
本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法,包括:制造出具有阶梯状结构的晶圆;在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层,使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致;对所述第一光刻胶层进行图案化处理,在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案;对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量,根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法,不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品,只需要一个晶圆即可实现该方法,简化了工艺,大大降低了成本,且节省了工艺时间。
主权项
1.一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法,其特征在于,包括:制造出具有阶梯状结构的晶圆;在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层,使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致;对所述第一光刻胶层进行图案化处理,在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案;对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量,根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G03F7/20
G 物理

G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术

G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备

G03F7/20 曝光及其设备(复制用照相印制设备入G03B27/00)〔4〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010917348 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达