[发明专利] 光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及电子设备 – CN114167692A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010948688.1
申请日
20200910
公开(公告)号
CN114167692A
公开(公告)日
20220311
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
梁时元;贺晓彬;丁明正;刘强 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供一种光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及其制作方法、电子设备,所述光刻对准结构包括:形成在晶圆划片道上的对准标记;以及形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形,所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。本公开提供的光刻对准结构,使得在多层光刻工艺中,下方工艺上形成的对准标记在其上方形成辅助图形的工艺之后也能使用。
主权项
1.一种光刻对准结构,其特征在于,包括:形成在晶圆划片道上的对准标记;以及形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形,所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G03F9/00
G 物理

G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术

G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备

G03F9/00 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)〔4〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220311
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010948688 20220311 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达