[发明专利] 一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构 – CN114142946A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111436608.5
申请日
20211129
公开(公告)号
CN114142946A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
张加祥;金婷婷;欧欣;欧炜文;朱一帆 专利类型 发明专利
摘要
本申请实施例所公开的一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构,制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构,该待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层,待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域,进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理,使得在待刻蚀层形成波导光栅耦合结构,得到待腐蚀结构,并对待腐蚀结构进行腐蚀处理,去除牺牲层,得到量子点薄膜,之后将量子点薄膜转移至待转移结构上的待转移区域,并在待刻蚀区域刻蚀出待施压区域,得到光量子芯片。基于本申请实施例通过在待刻蚀区域上刻蚀待施压区域以施加驱动电压,通过压电效应来调控精细结构分裂,提高量子纠缠光源的产率,实现片上量子纠缠光源的光量子芯片。
主权项
1.一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法,其特征在于,包括:获取待刻蚀结构和待转移结构;所述待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层;所述待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域;对所述待刻蚀结构进行刻蚀处理,使得在所述待刻蚀层形成波导光栅耦合结构,得到待腐蚀结构;对所述待腐蚀结构进行腐蚀处理,去除所述牺牲层,得到量子点薄膜;将所述量子点薄膜转移至所述待转移结构上的所述待转移区域,并在所述待刻蚀区域刻蚀出待施压区域,得到光量子芯片。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H04B10/70
H 电学

H04 电通信技术

H04B 传输

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111436608 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人姓名
方秀琴;贾允