[发明专利] 一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法 – CN114122154A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111180819.7
申请日
20211011
公开(公告)号
CN114122154A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院电工研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所
发明人
王光红;王文静;赵雷;莫丽玢;刁宏伟 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及了一种载流子选择性钝化接触太阳电池,包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层、第二梯度金属氧化物层;第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层。本发明采用梯度金属氧化物层,减少与非晶硅钝化层接触的金属氧化物中氧,避免了非晶硅中的氢与金属氧化物中的氧的反应,提升了载流子选择性钝化接触太阳电池的钝化性能,进而提升太阳电池的热稳定性。
主权项
1.一种载流子选择性钝化接触太阳电池,其特征在于,包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层和第二梯度金属氧化物层;所述第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层;所述第一梯度金属氧化物层的第一层金属氧化物层设置在所述第一非晶硅钝化层的表面,所述第二梯度金属氧化物层的第一层金属氧化物层设置在所述第二非晶硅钝化层的表面。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L31/0216
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L31/0216 涂层〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111180819 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京高沃律师事务所 11569
代理人姓名
杜阳阳