[发明专利] 一种超结构单元、超结构及其设计方法 – CN114122734B 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202210077683.5
申请日
20220124
公开(公告)号
CN114122734B
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院光电技术研究所
申请人地址
610209 四川省成都市双流350信箱
发明人
罗先刚;黄成;袁黎明;廖建明;计琛;黄兢凯 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种超结构单元、超结构及其设计方法,所述超结构单元包含:顶层;底层,与顶层相对设置,与顶层第二层体间距离由近及远处,依次为第三层体、第二基板和金属反射层;半导体元件,用于连接顶层与底层,组成控制顶层表面温度的电路,金属反射层用于微波反射,整个超结构单元作为微波反射动态调控单元。通过对超结构单元中二极管的通断状态的控制,实现微波反射特性的动态可调;同时,通过对加载在热电结构上电流的控制来改变超结构的表面温度,从而实现红外辐射特性的动态可调。并且,该超结构制作工艺简单、制作成本低、使用方便,为填补微波与红外双谱段可调的动态电磁材料空白提供一种有效的技术途径。
主权项
1.一种超结构单元,其特征在于,所述超结构单元微波与红外双谱段可调,且包含:顶层,所述顶层包括由第一金属结构(21)和二极管组件(22)组成的第一层体、第二金属结构(23)组成的第二层体和第一基板(31),所述第一基板(31)设置于所述第一层体与第二层体之间;所述第一金属结构(21)由两个分离的结构组成,该两个分离的结构通过所述二极管组件(22)进行连接,且所述第一金属结构(21)与外部电路相连;底层,所述底层与所述顶层相对设置,且与所述第二层体之间距离由近及远处,所述底层依次包括由第三金属结构(24)组成的第三层体、第二基板(32)和金属反射层(25);半导体元件,所述半导体元件用于连接顶层与底层,且至少包括一对P型半导体晶粒(11)和N型半导体晶粒(12),并分别与所述第二金属结构(23)和第三金属结构(24)相连,所述第二金属结构(23)或第三金属结构(24)与外部电路相连,组成控制顶层表面温度的电路。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01Q15/00
H 电学

H01 基本电气元件

H01Q 天线

H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置,例如准光学装置(用于改变方向性的可变装置入H01Q3/00;用于引导电波的此种装置的构成入H01P3/20;用于调制的可变装置入H03C7/02)

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202210077683 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
代理人姓名
李晓莉