[发明专利] 一种薄膜制备方法及光电探测器 – CN114122192A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111301989.6
申请日
20211104
公开(公告)号
CN114122192A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院深圳先进技术研究院
申请人地址
518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
发明人
朱元昊;陈明;杨春雷;陈志勇;严振;徐泽林 专利类型 发明专利
摘要
本申请属于光电探测技术领域,特别是涉及一种薄膜制备方法及光电探测器。现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低,限制了光电探测器的性能。本申请提供了一种薄膜制备方法,在温度小于250℃的条件下,通过加热锡材料源和硒材料源,使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。SnSe2二维薄膜材料直立式V型结构,其陷光效应十分显著,光利用效率极大地增强,对340nm至650nm波长的光的吸收超过90%,可有效提高探测器的光响应度及外量子效率。
主权项
1.一种薄膜制备方法,其特征在于:在温度小于250℃的条件下,通过加热锡材料源和硒材料源,使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L31/18
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L21/00)〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111301989 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京市诚辉律师事务所 11430
代理人姓名
刘婷;朱伟军