[发明专利] 一种芯片和芯片的制造方法 – CN114093782A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010859056.8
申请日
20200824
公开(公告)号
CN114093782A
公开(公告)日
20220225
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
朴灿圭;杨红;杨涛;王文武;李俊峰;李永亮 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种芯片和芯片的制造方法,涉及芯片领域,以使芯片衬底上和衬底内的裂纹都被检测到。芯片包括衬底、形成于衬底上的器件层、位于器件层上的互连层以及检测结构物,检测结构物用于检测芯片是否出现裂纹;检测结构物包括形成于衬底内的内部导电结构以及位于衬底上的外部导电结构,外部导电结构形成在内部导电结构上;其中,衬底具有中心区域以及围绕中心区域的外围区域,器件层形成在中心区域上,内部导电结构位于外围区域内,外部导电结构形成在外围区域上。本发明提供的一种芯片和芯片的制造方法用于检测芯片衬底上和衬底内的裂纹。
主权项
1.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括衬底、形成于所述衬底上的器件层、位于所述器件层上的互连层以及检测结构物,所述检测结构物用于检测所述芯片是否出现裂纹;所述检测结构物包括形成于所述衬底内的内部导电结构以及位于所述衬底上的外部导电结构,所述外部导电结构形成在所述内部导电结构上;其中,所述衬底具有中心区域以及围绕所述中心区域的外围区域,所述器件层形成在所述中心区域上,所述内部导电结构位于所述外围区域内,所述外部导电结构形成在所述外围区域上。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L21/66
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量(制造后的测试或测量入G01R31/26)〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220225
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010859056 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人姓名
王胜利