[发明专利] 一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用 – CN114256364A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111223275.8
申请日
20211020
公开(公告)号
CN114256364A
公开(公告)日
20220329
申请(专利权)人
中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波慈溪生物医学工程研究所
申请人地址
315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
发明人
杨方;杜慧;吴爱国;李勇 专利类型 发明专利
摘要
本申请公开了一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用,其特征在于,所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种;MO·xMQ2O4 式I;其中,所述M选自二价过渡金属元素中的任一种;所述Q选自VIII族元素中的任一种;所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比,所述x的取值范围为1~2.5;所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述自PN结半导体纳米材料解决了现有技术中MO禁带宽度大,光电转化效率不高且只对紫外光有较强的吸收等问题,具有良好的作为近红外光电探测器应用前景。
主权项
1.一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用,其特征在于,所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种;MO·xMQ2O4式I;其中,所述M选自二价过渡金属元素中的任一种;所述Q选自VIII族元素中的任一种;所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比,所述x的取值范围为1~2.5;所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L31/0296
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L31/0296 除掺杂或其他杂质外,只包含AⅡBⅥ化合物,如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220329
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111223275 20220329 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京元周律知识产权代理有限公司 11540
代理人姓名
孙小万