[发明专利] 一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用 – CN114256364A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111223275.8 |
申请日
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20211020 |
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公开（公告）号
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CN114256364A |
公开（公告）日
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20220329 |
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申请（专利权）人
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波慈溪生物医学工程研究所 | ||
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申请人地址
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315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
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发明人
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杨方;杜慧;吴爱国;李勇 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本申请公开了一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO·xMQ2O4 式I；其中，所述M选自二价过渡金属元素中的任一种；所述Q选自VIII族元素中的任一种；所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比，所述x的取值范围为1～2.5；所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述自PN结半导体纳米材料解决了现有技术中MO禁带宽度大，光电转化效率不高且只对紫外光有较强的吸收等问题，具有良好的作为近红外光电探测器应用前景。 | ||
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主权项
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1.一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO·xMQ2O4式I；其中，所述M选自二价过渡金属元素中的任一种；所述Q选自VIII族元素中的任一种；所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比，所述x的取值范围为1～2.5；所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L31/0296 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L31/0296 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物，如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220329 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111223275 20220329 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京元周律知识产权代理有限公司 11540 |
代理人姓名
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孙小万 |