[发明专利] 一种纳米晶传感器及其复合磁芯结构 – CN114141467A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111319338.X
申请日
20211109
公开(公告)号
CN114141467A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址
315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
发明人
贺爱娜;董亚强;黎嘉威;满其奎;李润伟 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种纳米晶传感器及其复合磁芯结构,涉及传感器技术领域。所述复合磁芯结构包括FeSiCr层、非晶层和纳米晶层,多个所述FeSiCr层层叠设置,所述非晶层和所述纳米晶层依次设置于相邻两个所述FeSiCr层之间。本发明的复合磁芯结构兼具高饱和磁感应强度和高磁导率,可有效保证传感器的高精度和较宽的测量范围,且本发明的磁芯结构具有更加广泛的适用范围,尤其适合高集成化、小型化复杂空间结构的传感器,能够满足特殊环境下复杂结构传感器磁芯的形状要求,提升传感器的测量宽度和精度。
主权项
1.一种纳米晶传感器复合磁芯结构,其特征在于,包括FeSiCr层(1)、非晶层(2)和纳米晶层(3),多个所述FeSiCr层(1)层叠设置,所述非晶层(2)和所述纳米晶层(3)依次设置于相邻两个所述FeSiCr层(1)之间。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01F3/10
H 电学

H01 基本电气元件

H01F 磁体;电感;变压器;磁性材料的选择

H01F3/10 磁路的复合配置

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111319338 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473
代理人姓名
丁晴晴