[发明专利] 一种红外焦平面阵列及其制备方法 – CN114122182A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111317545.1 |
申请日
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20211108 |
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公开（公告）号
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CN114122182A |
公开（公告）日
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20220301 |
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申请（专利权）人
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中国科学院半导体研究所 | ||
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申请人地址
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100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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发明人
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薛春来;徐国印;丛慧;徐驰 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法，其中，红外焦平面阵列包括：图形衬底；IV族材料外延层，生长于上述图形衬底上；钝化层，覆盖于上述IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极，设置于上述第一电极孔内，与上述图形衬底相连接；第二电极，设置于上述第二电极孔内，与上述IV族材料外延层相连接；抗氧化层，覆盖于上述钝化层上，且设有通孔；互联金属层，设置于上述通孔内。本公开提供的红外焦平面阵列中的带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，同时，采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，以及降低制作成本。 | ||
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主权项
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1.一种红外焦平面阵列，其特征在于，包括：图形衬底(200)；IV族材料外延层(300)，生长于所述图形衬底(200)上；钝化层(400)，覆盖于所述IV族材料外延层(300)上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极(10)，设置于所述第一电极孔内，与所述图形衬底(200)相连接；第二电极(20)，设置于所述第二电极孔内，与所述IV族材料外延层(300)相连接；抗氧化层(500)，覆盖于所述钝化层(400)上，且设有通孔；互联金属层(600)，设置于所述通孔内。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L31/09 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L31/09 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件（H01L31/101优先）〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111317545 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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王文思 |