[发明专利] 一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法 – CN114121598A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010904081.3
申请日
20200901
公开(公告)号
CN114121598A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院大连化学物理研究所
申请人地址
116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号
发明人
罗婷;任泽峰;曾维旺;杨学明 专利类型 发明专利
摘要
本发明属于表面改性、半导体加工技术领域,特别涉及一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法。该方法包括以下四个步骤:(1)基片的预清洗;(2)等离子体活化处理,增大表面自由能;(3)形成表面连接层;(4)表面连接层的表征。本发明提供的一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法具有原料便宜易获得,操作简便,环境友好,与现有半导体制造工艺相兼容等优点。
主权项
1.一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法,其特征在于包含以下步骤:步骤一,基片的预清洗:将基片清洗干净;步骤二,等离子体活化处理对步骤一预清洗后的基片进行等离子体活化处理,等离子体处理条件为直接处理模式或间接处理模式,频率40kHz~2.45GHz,功率1~1000W,处理腔内气压1mTorr~2Torr,处理时间0.1~120min;优选的,等离子体气源为空气或氧气,等离子体处理条件为直接处理模式,频率13.56MHz或2.45GHz,功率为60~600W,处理腔内气压约100mTorr~1Torr,处理时间1~45min;更优选的,等离子体气源为空气,等离子体处理条件为直接处理模式,频率13.56MHz,功率为75~150W,处理腔内气压约100mTorr~750mTorr,处理时间3~25min;步骤三,形成表面连接层将步骤二等离子体活化处理后的基片与表面改性剂接触,表面改性剂在活化的基片表面解离,形成亲水或疏水连接层。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L21/02
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2,8〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010904081 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002
代理人姓名
马驰