[发明专利] 一种硅像素探测器及其制备方法 – CN114156292A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111275086.5
申请日
20211029
公开(公告)号
CN114156292A
公开(公告)日
20220308
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
孙朋;傅剑宇;许高博;丁明正;殷华湘;陈大鹏 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种硅像素探测器,通过在硅像素探测器的边缘(即在环状电流收集区的外围)增加多个以间距递增方式排布的环状保护结构,降低了器件的漏电流并提高了击穿电压,从而提升了硅像素探测器在高电压工作条件下的灵敏度。
主权项
1.一种硅像素探测器,其特征在于,包括由下至上依次层叠的以下结构:第一电极层;衬底,所述衬底上表面的浅表层形成有多个间隔分布的第一掺杂区,所述衬底下表面的浅表层形成为第二掺杂区;所述多个间隔分布的第一掺杂区形成为像素区、环状电流收集区和环状保护区;所述环状保护区和环状电流收集区内的每个所述第一掺杂区均为环状结构;并且所述环状电流收集区包围所述像素区,所述环状保护区包围在所述环状电流收集区;其中,所述环状保护区内的相邻所述第一掺杂区的间距由所述环状电流收集区指向所述环状保护区的方向呈递增趋势;氧化层,所述氧化层设置有多个凹槽,每个所述凹槽的底部一一对应地与每个所述第一掺杂区贯通;第二电极层,所述第二电极层填充所述凹槽;以及钝化层,所述钝化层覆盖所述第二电极层的上表面,且所述钝化层设置有多个窗口,所述窗口使所述像素区和所述环状电流收集区上方的第二电极层上表面裸露。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/146
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/146 图像结构〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220308
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111275086 20220308 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
张晓玲