[发明专利] 一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构 – CN114137660A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111437447.1
申请日
20211129
公开(公告)号
CN114137660A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
张加祥;朱一帆;欧欣;金婷婷;王旭东 专利类型 发明专利
摘要
本申请实施例所公开的一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构,其中制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构,待刻蚀结构包括量子点层,待转移结构包括待转移区域,进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理,使得在量子点层形成波导结构,之后利用聚合物拾取波导结构,并转移至待转移结构的待转移区域上,得到光量子芯片。基于本申请实施例利用聚合物拾取波导结构,并转移至待转移结构的待转移区域上,得到光量子芯片,可以提高耦合效率,减小芯片的体积。
主权项
1.一种混合集成光量子芯片的制备方法,其特征在于,包括:获取待刻蚀结构和待转移结构;所述待刻蚀结构包括量子点层;所述待转移结构包括待转移区域;对所述待刻蚀结构进行刻蚀处理,使得在所述量子点层形成波导结构;利用聚合物拾取所述波导结构,并转移至所述待转移结构的所述待转移区域上,得到光量子芯片。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G02B6/136
G 物理

G02 光学

G02B 光学元件、系统或仪器

G02B6/136 用蚀刻法〔6〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111437447 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人姓名
方秀琴;贾允