[发明专利] 一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器 – CN114070227A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
|---|---|---|---|
|
申请号
|
CN202111247949.8 |
申请日
|
20211026 |
|
公开（公告）号
|
CN114070227A |
公开（公告）日
|
20220218 |
|
申请（专利权）人
|
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | ||
|
申请人地址
|
200050 上海市长宁区长宁路865号
|
||
|
发明人
|
欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;郑鹏程 | 专利类型 | 发明专利 |
|
摘要
|
本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将离子注入氮化铝单晶晶片与支撑衬底键合，得到异质键合结构；对异质键合结构进行退火处理，得到异质集成器件结构。AlN单晶薄膜具有继承了AlN单晶晶片的优异的晶体质量，从而大大提高AlN声波谐振器的器件性能。此外，为调控AlN的极化性能从而实现调控AlN声波谐振器的性能，选用的AlN单晶晶片的晶面不仅可以为常见的极性面，还可以选用半极性面、非极性面等晶面，使器件应用范围更广泛。 | ||
|
主权项
|
1.一种氮化铝声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对所述氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将所述离子注入氮化铝单晶晶片与所述支撑衬底键合，得到异质键合结构；对所述异质键合结构进行退火处理，以使所述离子注入氮化铝单晶晶片沿离子注入损伤面分裂，得到异质集成器件结构；所述异质集成器件结构包括支撑衬底和键合在所述支撑衬底上的氮化铝单晶薄膜。 | ||
|
IPC信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
IPC主分类号
|
H03H3/08 | ||
| H 电学
H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 H03H3/08 用于制造应用声表面波的网络或谐振器〔3〕 |
|||
|
法律状态信息
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|
|
法律状态公告日
|
20220218 |
法律状态
|
公开 | 法律状态信息 |
CN202111247949 20220218 公开 公开
|
|
代理信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
代理机构名称
|
广州三环专利商标代理有限公司 44202 |
代理人姓名
|
郝传鑫;贾允 |